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IS61LV5128AL-10TLI(TSOP44) ISSI 512K × 8高速CMOS静态RAM
2023-05-25 18:51:24
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IS61LV5128AL-10TLI， ISSI RAM，512K×8高速静态RAM
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特性
 ● 高速访问时间:10、12 ns
 ● 高性能、低功耗CMOS工艺
 ● 多个中心电源和接地引脚，具有更强的抗噪能力
 ● 易于内存扩展与CE和OE选项
 ● CE断电
 ● 完全静态运行:无需时钟或刷新
 ● TTL兼容输入和输出
 ● 单路3.3V电源
 ● 可用封装:
   - 36针400米SOJ
   - 36针miniBGA
   - 44针TSOP (II型)(本公司现货)
 ● 无铅
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描述
ISSI IS61LV5128AL是一个非常高速，低功耗，524,288字× 8位CMOS静态RAM。IS61LV5128AL采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，产生了更高的性能和低功耗的设备。
 
当CE为HIGH(去选)时，器件处于待机模式，在CMOS输入电平下，功耗可降至250 μW(典型)。
 
IS61LV5128AL工作在一个3.3V电源，所有输入都是TTL兼容的。
 
IS61LV5128AL有36引脚400 mil SOJ、36引脚mini BGA和44引脚TSOP (Type II)封装。
IS61LV5128AL-10TLI， ISSI RAM，512K×8高速静态RAM
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以上所有图片均为实物拍摄后抠图后即上线展示，所见即所得。
 
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